近日，廣東省“寬禁帶半導體材料、功率器件及應用技術創新中心”在松山湖成立，該創新中心由廣東省科技廳、東莞市政府支持及引導，易事特、中鎵半導體、天域半導體、松山湖控股集團、廣東風華高科股份有限公司多家行業內知名企業共同出資發起設立。
據消息稱，近日，廣東省首個第三代半導體制造業創新中心“寬禁帶半導體材料、功率器件及應用技術創新中心”正式在松山湖成立。該創新中心成立后，將依托國家第三代半導體南方基地建設承擔單位東莞南方半導體科技公司為平臺。
據了解，該創新中心由廣東省科技廳、東莞市政府支持及引導，易事特、中鎵半導體、天域半導體、松山湖控股集團、廣東風華高科股份有限公司多家行業內知名企業共同出資發起設立。其中，易事特起到了牽頭作用。
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易事特是第三代半導體南方基地的主要股東和應用企業之一。
2016年9月由廣東省科技廳、國家第三代半導體創新技術戰略聯盟、東莞市政府及相關企業共同建設的中國第三代半導體南方基地正式落戶東莞。據悉，南方基地項目將帶動投資600億元，為東莞創造稅收50億元，新增勞動崗位10萬個。
易事特曾在2017年9月發布重要公告，公告稱：公司擬受讓廣東晶科電子股份有限公司、北京智芯互聯半導體科技有限公司及佛山市南海區聯合廣東新光源產業創新中心合計持有的東莞南方半導體科技有限公司11.43%股權。完成股份轉讓后，公司持有東莞南方半導體科技有限公司25.71%股權。
易事特是我國電源行業領軍企業，廣東省現代電力電子工程技術中心建設單位。易事特曾表示開展第三代半導體產業技術發展事業，同時把控現代電力電子技術產業革命先機，率先實現公司高頻電能變換技術的創新突破發展。
中鎵半導體的一大產品線就是GaN半導體襯底材料。據悉，目前已建成國內首家專業的GaN襯底材料生產線，制造出厚度達1100微米的自支撐GaN襯底，并能夠穩定生產。今年2月初，中鎵半導體氮化鎵襯底量產技術獲得重大突破，實現國內首創4英寸GaN自支撐襯底的試量產。
天域半導體是我國首家專業從事第三代半導體碳化硅外延片研發、生產和銷售的高新技術企業。據悉，早在2010年，該公司就與中國科學院半導體所合作成立了“碳化硅技術研究院”。目前，天域半導體可提供6英寸SiC晶圓，以及各種單極、雙極型SiC功率器件。
風華高科是一家專業從事新型元器件、電子材料、電子專用設備等電子信息基礎產品的高科技上市公司。
第三代寬禁帶半導體材料，可以被廣泛應用在各個領域，且具備眾多的優良性能，可突破第一、二代半導體材料的發展瓶頸，故被市場看好的同時，隨著技術的發展有望全面取代第一、二代半導體材料。目前，美國、日本、歐洲在第三代半導體SiC、GaN、AlN等技術上擁有絕對的話語權。相比美、日，我國在第三半導體材料上的起步較晚，水平較低，但由于第三代半導體還有很大的發展空間，各國都處于發力階段，因此被視作一次彎道超車的機會。
北京、廣東相繼建立北京第三代半導體材料及應用聯合創新基地與第三代半導體南方基地。江蘇、浙江、廈門、江西等地也逐步開始成為國內具有較為完整產業鏈的第三代半導體產業特色集聚區。